客戶咨詢熱線：
15270896115
穩(wěn)定 5μm 超細(xì)霧化：專1利外混合渦流結(jié)構(gòu)，液滴粒徑均勻、CV 值優(yōu)異，可深入 3D NAND、FinFET 等高深寬比結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)無1死角清洗；
高潔凈無殘留：全系列采用 SUS316L / 陶瓷 / PTFE 等高潔凈材質(zhì)，無金屬析出、無顆粒污染，適配 SC1/SC2、去離子水、光刻膠剝離液等半導(dǎo)體專用介質(zhì)；
防堵低耗：大流道設(shè)計(jì)，適配低粘度、低固含清洗液，長期運(yùn)行無堵塞、無滴漏，大幅降低停機(jī)維護(hù)頻率；
微型化易集成：體積小巧，適配晶圓清洗機(jī)、濕法臺、光刻顯影設(shè)備等精密設(shè)備的緊湊安裝空間。
霧化粒徑：≈5μm（穩(wěn)定）
流量范圍：0.1–1 L/h（超微量）
工作壓力：2–5 bar（低壓適配）
噴霧角度：30°–60°（窄角精準(zhǔn)覆蓋）
適配介質(zhì)：去離子水、光刻膠、微量清洗劑、低粘度剝離液
7nm 及以下先1進(jìn)制程晶圓預(yù)清洗、光刻前超精密清洗；
3D NAND、FinFET 高深寬比結(jié)構(gòu)的微觀清洗，解決傳統(tǒng)清洗的 “陰影效應(yīng)"；
微型芯片、MEMS 器件、晶圓邊緣（Edge）的精準(zhǔn)清洗；
實(shí)驗(yàn)室 / 研發(fā)線的微量清洗、工藝驗(yàn)證。
霧化粒徑：≈5μm（穩(wěn)定）
流量范圍：1–3 L/h（微量量產(chǎn)）
工作壓力：2–5 bar
噴霧角度：45°–70°（中等覆蓋）
適配介質(zhì)：去離子水、SC1/SC2 清洗液、IPA、低粘度蝕刻液
晶圓批量預(yù)清洗、光刻后顯影清洗、刻蝕后殘留物清洗；
28nm–14nm 制程的常規(guī)濕法清洗、晶圓表面顆粒去除；
多工位清洗機(jī)、批量式濕法臺的主力噴嘴；
半導(dǎo)體封裝前的晶圓 / 芯片表面清潔。
霧化粒徑：≈5μm（穩(wěn)定）
流量范圍：3–8 L/h（中流量）
工作壓力：2–6 bar
噴霧角度：60°–80°（寬角覆蓋）
適配介質(zhì)：去離子水、高流量清洗劑、批量式清洗液
大尺寸晶圓（300mm/450mm）的全表面均勻清洗；
批量式晶圓清洗、濕法臺大面積覆蓋；
光刻膠剝離、氧化層去除等需要高流量的清洗工序；
半導(dǎo)體設(shè)備腔體、托盤的在線清洗（CIP）。
霧化粒徑：≈5μm（穩(wěn)定）
流量范圍：8–15 L/h（中高流量）
工作壓力：3–6 bar
噴霧角度：70°–90°（廣角覆蓋）
適配介質(zhì)：去離子水、批量清洗劑、高流量剝離液
超高產(chǎn)能量產(chǎn)線的晶圓批量清洗；
大尺寸晶圓（450mm）的全表面快速清洗；
半導(dǎo)體設(shè)備的大面積腔體、載具清洗；
刻蝕后、沉積后的高流量清洗工序。
| 清洗工序 | 核心需求 | 推薦型號 | 關(guān)鍵優(yōu)勢 | 工藝效果 |
|---|---|---|---|---|
| 晶圓預(yù)清洗 | 超微量、無1死角、高潔凈 | AM6 | 5μm 超細(xì)霧化，深入微觀結(jié)構(gòu) | 顆粒去除率≥95%，缺陷密度降低 30%+ |
| 光刻前清洗 | 微量、均勻、無殘留 | AM12 | 穩(wěn)定霧化，適配光刻膠環(huán)境 | 表面金屬離子＜1E10 atoms/cm2 |
| 刻蝕后清洗 | 中流量、覆蓋廣、高效 | AM25/AM45 | 寬角覆蓋，快速去除殘留物 | 刻蝕殘留物去除率≥98% |
| 3D 結(jié)構(gòu)清洗 | 超細(xì)霧化、無1死角 | AM6/AM12 | 液滴滲透高深寬比結(jié)構(gòu) | 解決陰影效應(yīng)，結(jié)構(gòu)無損傷 |
| 批量量產(chǎn)清洗 | 平衡精度與產(chǎn)能 | AM12/AM25 | 流量適配量產(chǎn)線，穩(wěn)定運(yùn)行 | 良率提升 5%–8%，停機(jī)率降低 40% |
SUS316L（標(biāo)準(zhǔn)）：適配常規(guī)去離子水、中性清洗液，高潔凈、無金屬析出，性價比最1高；
PTFE/PEEK（耐腐）：適配強(qiáng)酸（HF、HCl）、強(qiáng)堿（NaOH）、有機(jī)溶劑（IPA、丙酮），無腐蝕、無顆粒污染；
99.6% 氧化鋁陶瓷（超高潔凈）：適配超純水、半導(dǎo)體級清洗劑，零金屬析出、耐磨損，適合 10nm 及以下先1進(jìn)制程；
哈氏合金 C-276（強(qiáng)腐蝕）：適配強(qiáng)酸性、強(qiáng)氧化性清洗液，如 SC1/SC2、等離子體清洗后處理。
推薦工作壓力：2–6 bar（低壓適配，無需高壓泵，降低能耗）；
流量設(shè)置：根據(jù)晶圓尺寸、清洗面積、產(chǎn)能需求，匹配對應(yīng)型號流量，避免流量不足或過量；
流量控制：AM 系列流量誤差＜±5%，精準(zhǔn)匹配清洗工藝要求。
噴霧角度：**30°–90°** 可調(diào)，根據(jù)晶圓尺寸、清洗區(qū)域選擇；
安裝距離：50–150mm（噴嘴到晶圓表面），確保霧化均勻、無飛濺；
安裝方式：垂直 / 傾斜安裝，適配晶圓旋轉(zhuǎn)、噴淋式清洗機(jī)。
粘度要求：≤50cP（AM 系列適配低粘度介質(zhì)，如去離子水、IPA、光刻膠）；
溫度范圍：0–80℃（常規(guī)），可定制耐高溫材質(zhì)（≤120℃）。
